Montaje superficial del canal 40V 2.5W de los transistores P de la electrónica de potencia del MOSFET AOD4189

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Number modelo :AOD4189

Lugar del origen :Original

Cantidad de orden mínima :1

Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

Capacidad de la fuente :999999

Plazo de expedición :1 - 3 días

Detalles de empaquetado :Estándar

Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C :40A (Tc)

Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds :1870 PF @ 20 V

Paquete/caso :TO-252-3, DPak (2 ventajas + etiquetas), SC-63

Disipación de poder (máxima) :2.5W (TA), 62.5W (Tc)

Identificación de Vgs (th) (máximo) @ :3V @ 250µA

Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs :22mOhm @ 12A, 10V

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Etiquetas de productos:

surface mount zener diode

Carro de la investigación 0

Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 voltios
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	40A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5 V, 10 V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	22mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	41 nC a 10 V
Vgs (Máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1870 pF a 20 V
Función FET	-
Disipación de energía (máx.)	2,5 W (Ta), 62,5 W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje superficial
Paquete de dispositivo del proveedor	A-252 (DPAK)
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	AOD418