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IRF6665TRPBF MOSFET Electrónica de potencia
Bajo RDS (activado) de alto rendimiento para mejorar la eficiencia
Tipo FET
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Tecnología
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MOSFET (óxido de metal)
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Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
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Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C
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Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)
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10V
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Rds On (Máx.) @ Id, Vgs
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62mOhm @ 5A, 10V
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Vgs(th) (Máx.) @ Id.
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5V @ 250µA
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Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
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13 nC a 10 V
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Vgs (Máx.)
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±20V
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Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
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530 pF a 25 V
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Función FET
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-
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Disipación de energía (máx.)
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2,2 W (Ta), 42 W (Tc)
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Temperatura de funcionamiento
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-40°C ~ 150°C (TJ)
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Tipo de montaje
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Paquete de dispositivo del proveedor
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DIRECTFET™ SH
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Paquete / Caja
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Descripción del Producto:
El IRF6665TRPBF es un MOSFET de potencia de IRF Technologies.Este MOSFET de canal N está diseñado para manejar hasta 55 voltios y tiene una baja resistencia de encendido de 3,2 miliohmios.La corriente de drenaje máxima es de 55 amperios, mientras que la disipación de potencia máxima es de hasta 740 vatios.El dispositivo está empaquetado en un paquete TO-220AB.
Parametros del producto:
- Tipo: MOSFET de canal N
- Voltaje: 55V
- Resistencia de encendido: 3,2 miliohmios
- Corriente máxima de drenaje: 55 amperios
- Disipación de potencia máxima: 740 vatios
- Paquete: TO-220AB
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