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Poder del MOSFET IPB60R380C6 electrónico
En-resistencia baja de alto rendimiento del módulo
Tipo del FET
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Tecnología
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MOSFET (óxido de metal)
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Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
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Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
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Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
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10V
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Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
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380mOhm @ 3.8A, 10V
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Identificación de Vgs (th) (máximo) @
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3.5V @ 320µA
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Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
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32 nC @ 10 V
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Vgs (máximo)
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±20V
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Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
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700 PF @ 100 V
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Característica del FET
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-
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Disipación de poder (máxima)
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83W (Tc)
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Temperatura de funcionamiento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Montaje del tipo
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Paquete del dispositivo del proveedor
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PG-TO263-3
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Paquete/caso
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Características:
• En-resistencia ultrabaja RDS (encendido)
• Carga baja Qg de la puerta
• CISS bajo de la capacitancia de la entrada
• Velocidad que cambia rápida
• la avalancha 100% probó
Grados máximos absolutos:
• Voltaje de la Puerta-fuente (VGS): ±20V
• Corriente continua del dren (identificación): 48A
• Disipación de poder (paladio): 350W
• Temperatura del funcionamiento y de almacenamiento (TJ y Tstg): -55 a +150°C
Características termales:
• Empalme-a-caso de la resistencia termal (RθJC): 0.8°C/W
• Resistencia termal Empalme-a-ambiente (RθJA): 15°C/W
Características eléctricas:
• Voltaje de avería de la Dren-fuente (V (BR) DSS): 60V
• En-resistencia estática de la Dren-fuente (RDS (encendido)): 0.38Ω
• Voltaje del umbral de la puerta (VGS (th)): 2.2V
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