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Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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FDMS7660AS MOSFET Electrónica de potencia 30V 82A MOSFET rectificado síncrono

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China FDMS7660AS MOSFET Electrónica de potencia 30V 82A MOSFET rectificado síncrono wholesale
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FDMS7660AS MOSFET Electrónica de potencia 30V 82A MOSFET rectificado síncrono
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Number modelo :FDMS7660AS
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :999999
Plazo de expedición :1-3 días
Detalles de empaquetado :Estándar
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :30 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C :26A (TA), 42A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) :4.5V, 10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs :2.4mOhm @ 25A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ :3V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs :90 nC @ 10 V
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FDMS7660AS N-Channel 30V 82A Paquete MOSFET rectificado síncrono 8-PQFN para aplicaciones de electrónica de potencia de alta eficiencia

lluvia a voltaje de la fuente (Vdss)
30 voltios
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C
26A (Ta), 42A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)
4,5 V, 10 V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs
2,4 mOhm a 25 A, 10 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
90 nC a 10 V
Vgs (Máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
6120 pF a 15 V
Función FET
-
Disipación de energía (máx.)
2,5 W (Ta), 83 W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Paquete de dispositivo del proveedor
8-PQFN (5x6)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN

ON Semiconductor FDMS7660AS MOSFET de potencia de canal N, 8-PQFN

Descripción del Producto:

El FDMS7660AS es un MOSFET de potencia de canal N diseñado para proporcionar alta eficiencia y bajas pérdidas de potencia en aplicaciones de conmutación y conversión de potencia.Este dispositivo se ofrece en un paquete 8-PQFN y presenta un voltaje de fuente de drenaje máximo de 600 V, una corriente de drenaje máxima de 12 A y una carga de puerta máxima de 90 nC.

Características:

• MOSFET de potencia de canal N
• Voltaje máximo de fuente de drenaje: 600 V
• Corriente máxima de drenaje: 12A
• Carga máxima de puerta: 90nC
• Paquete: 8-PQFN

Por qué comprar con nosotros >>> Rápido / Seguro / Conveniente
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• Estamos comprometidos a brindar un servicio de transporte rápido, conveniente y seguro al comprador global.

FDMS7660AS MOSFET Electrónica de potencia 30V 82A MOSFET rectificado síncrono

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