Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Punto bajo del alto rendimiento del tubo FDMC8882 del Mosfet en velocidades de transferencia rápidas de la resistencia

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Ciudad:shenzhen
País/Región:china
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Punto bajo del alto rendimiento del tubo FDMC8882 del Mosfet en velocidades de transferencia rápidas de la resistencia

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Number modelo :FDMC8882
Lugar del origen :Multi-origen
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :999999
Plazo de expedición :1-7days
Detalles de empaquetado :Estándar
Tipo de producto :Electrónica de poder del MOSFET
Fabricante :onsemi
Fabricante Product Number :FDMC8882
Descripción :MOSFET N-CH 30V 10.5A/16A 8MLP
Fabricante Standard Lead Time :1-7days
Descripción detallada :Canal N 30 V 10.5A (TA), 16A (Tc) 2.3W (TA), 18W (Tc) soporte 8-MLP (3.3x3.3) de la superficie
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Electrónica de poder del MOSFET FDMC8882

 

El FDMC8882 es un alto rendimiento y un dispositivo versátil del MOSFET del poder del semiconductor de Fairchild. Con un voltaje de avería de 60V, este dispositivo es ideal para el uso en usos de alto voltaje tales como automotriz, industrial y médico. Ofrece una en-resistencia baja de 0,045 Ω, de velocidades que cambian rápidas y de capacitancias bajas. Este dispositivo también ofrece la carga baja de la puerta, de tal modo minimizando pérdidas que cambian.

 

Características:


• Voltaje de avería: 60V
• En-resistencia: 0,045 Ω
• Carga baja de la puerta
• Capacitancias bajas
• Velocidades que cambian rápidas
• Alto rendimiento
• Versátil
• Ideal para los usos automotrices, industriales y médicos

 

 

Situación del producto
Activo
Tipo del FET
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
14.3mOhm @ 10.5A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @
2.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (máximo)
±20V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
945 PF @ 15 V
Característica del FET
-
Disipación de poder (máxima)
2.3W (TA), 18W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo
Paquete del dispositivo del proveedor
8-MLP (3.3x3.3)
Paquete/caso
Número bajo del producto

 

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Punto bajo del alto rendimiento del tubo FDMC8882 del Mosfet en velocidades de transferencia rápidas de la resistencia

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