Este anuncio está para una electrónica de poder del MOSFET de SVD5865NLT4G.
Características y especificaciones:
- Tipo del MOSFET: Canal N
- Drene el voltaje de la fuente (Vds): 60V
- En-resistencia de la Dren-fuente (Rds): 0,0065 ohmios
- Corriente continua del dren (identificación): 58A
- Disipación de poder (paladio): 230W
- Temperatura de empalme máxima (Tj): 175 grados de cent3igrado
- Temperatura de funcionamiento: -55 a 175 grados de cent3igrado
- Montaje del tipo: Soporte superficial
- Paquete/caso: TO-263-3
- Paquete del dispositivo del proveedor: TO-263AB
- Situación sin plomo/situación de RoHS: Sin plomo/RoHS obediente
- Producto: Electrónica de poder del MOSFET
- Marca: SVD
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Situación del producto
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Tipo del FET
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Tecnología
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Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
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Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
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Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
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Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
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Identificación de Vgs (th) (máximo) @
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Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
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Vgs (máximo)
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Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
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Característica del FET
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Disipación de poder (máxima)
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Temperatura de funcionamiento
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Montaje del tipo
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Paquete del dispositivo del proveedor
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Paquete/caso
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Número bajo del producto
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