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NTJS3151PT1G MOSFET Electrónica de potencia
El NTJS3151PT1G es un dispositivo electrónico de potencia MOSFET de canal N diseñado para su uso en circuitos de conversión de potencia de alta eficiencia, como convertidores CC/CC, accionamientos de motor y otras aplicaciones de administración de energía.El dispositivo presenta una baja resistencia en estado activo de 0,38 ohmios, una baja capacitancia de transferencia inversa de 0,7 pF y una corriente de drenaje continua máxima de 11,5 A. El dispositivo también presenta un excelente rendimiento térmico con una temperatura de unión máxima de 175 °C y una voltaje máximo de fuente de puerta de 20V.El dispositivo está disponible en el paquete TO-252 estándar de la industria.
Características clave:
• Baja resistencia en estado activo: 0,38 ohmios
• Capacidad de transferencia inversa baja: 0,7 pF
• Corriente de drenaje continua máxima: 11,5 A
• Temperatura máxima de unión: 175°C
• Voltaje máximo de fuente de puerta: 20V
• Paquete TO-252 estándar de la industria
Estado del producto
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Activo
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Tipo FET
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Tecnología
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MOSFET (óxido de metal)
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Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
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Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C
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Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)
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1,8 V, 4,5 V
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Rds On (Máx.) @ Id, Vgs
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60mOhm @ 3.3A, 4.5V
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Vgs(th) (Máx.) @ Id.
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1,2 V a 100 µA
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Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
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8,6 nC a 4,5 V
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Vgs (Máx.)
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±12V
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Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
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850 pF a 12 V
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Función FET
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-
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Disipación de energía (máx.)
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625 mW (Ta)
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Temperatura de funcionamiento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Tipo de montaje
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Paquete de dispositivo del proveedor
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SC-88/SC70-6/SOT-363
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Paquete / Caja
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Número de producto base
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