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Electrónica de poder del MOSFET de NTMT090N65S3HF
Características de producto:
• MOSFET del canal N 900V
• 30A RDS (encendido)
• Carga baja de la puerta
• Miller Capacitance bajo
• Transferencia de alta velocidad
• Qg y Qgd bajos
• El 100% UIS probado
• RoHS obediente
Especificaciones:
• Configuración: Canal N
• Voltaje de la Dren-fuente (VDS): 900V
• Corriente continua del dren (identificación): 30A
• En-resistencia de la Dren-fuente (RDS (encendido)): 0,0058 ohmios
• Voltaje de la Puerta-fuente (VGS): ±20V
• Carga de la puerta (Qg): 48nC
• Capacitancia entrada (CISS): 3.2nF
• Disipación de poder (paladio): 109W
• Temperatura de funcionamiento: -55°C a 150°C
• Estilo de la caja del transistor: TO-220AB
• No. de pernos: 3
• Montaje del tipo: A través del agujero
Situación del producto
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No para los nuevos diseños
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Tipo del FET
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Tecnología
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MOSFET (óxido de metal)
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Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
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Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
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Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
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10V
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Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
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90mOhm @ 18A, 10V
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Identificación de Vgs (th) (máximo) @
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5V @ 860µA
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Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
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66 nC @ 10 V
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Vgs (máximo)
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±30V
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Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
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2930 PF @ 400 V
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Característica del FET
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-
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Disipación de poder (máxima)
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272W (Tc)
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Temperatura de funcionamiento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Montaje del tipo
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Paquete del dispositivo del proveedor
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4-PQFN (8x8)
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Paquete/caso
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