Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Eficacia alta de alta calidad común del Mosfet NTMT090N65S3HF del poder

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Ciudad:shenzhen
País/Región:china
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Eficacia alta de alta calidad común del Mosfet NTMT090N65S3HF del poder

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Number modelo :NTMT090N65S3HF
Lugar del origen :Multi-origen
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :999999
Plazo de expedición :1-7days
Detalles de empaquetado :Estándar
Tipo de producto :Electrónica de poder del MOSFET
Fabricante :onsemi
Fabricante Product Number :NTMT090N65S3HF
Descripción :ACCIONE MOSFET, CANAL N, SUPERFE
Fabricante Standard Lead Time :1-7days
Descripción detallada :Soporte 4-PQFN (8x8) de la superficie 272W (Tc) del canal N 650 V 36A (Tc)
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Electrónica de poder del MOSFET de NTMT090N65S3HF

 

Características de producto:


• MOSFET del canal N 900V
• 30A RDS (encendido)
• Carga baja de la puerta
• Miller Capacitance bajo
• Transferencia de alta velocidad
• Qg y Qgd bajos
• El 100% UIS probado
• RoHS obediente

 

Especificaciones:


• Configuración: Canal N
• Voltaje de la Dren-fuente (VDS): 900V
• Corriente continua del dren (identificación): 30A
• En-resistencia de la Dren-fuente (RDS (encendido)): 0,0058 ohmios
• Voltaje de la Puerta-fuente (VGS): ±20V
• Carga de la puerta (Qg): 48nC
• Capacitancia entrada (CISS): 3.2nF
• Disipación de poder (paladio): 109W
• Temperatura de funcionamiento: -55°C a 150°C
• Estilo de la caja del transistor: TO-220AB
• No. de pernos: 3
• Montaje del tipo: A través del agujero

 

Situación del producto
No para los nuevos diseños
Tipo del FET
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
90mOhm @ 18A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @
5V @ 860µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (máximo)
±30V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
2930 PF @ 400 V
Característica del FET
-
Disipación de poder (máxima)
272W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo
Paquete del dispositivo del proveedor
4-PQFN (8x8)
Paquete/caso

 

Porqué compra a nosotros rápidamente/con seguridad/convenientemente del >>>


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Eficacia alta de alta calidad común del Mosfet NTMT090N65S3HF del poder

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