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Listado de productos:
IRFB7546PBF MOSFET Electrónica de potencia
• Vds: 75V
• Identificación: 57A
• Rds (encendido): 0.100ohm
• Paquete: TO-220AB
• Tipo de montaje: Orificio pasante
• Configuración: Individual
• Tipo de FET: MOSFET de canal N
• Polaridad del transistor: canal N
• Voltaje máximo de la fuente de drenaje: 75 V
• Voltaje máximo de la fuente de la puerta: 20 V
• Corriente máxima de drenaje: 57A
• Resistencia máxima de fuente de drenaje: 0.100ohm
• Disipación de energía: 115W
• Rango de temperatura de funcionamiento: -55 °C a 175 °C
• Marca: IRFB7546PBF
Estado del producto
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Activo
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Tipo FET
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Tecnología
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MOSFET (óxido de metal)
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Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
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Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C
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Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)
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6V, 10V
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Rds On (Máx.) @ Id, Vgs
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7,3 mOhmios a 45 A, 10 V
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Vgs(th) (Máx.) @ Id.
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3,7 V a 100 µA
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Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
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87 nC a 10 V
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Vgs (Máx.)
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±20V
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Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
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3000 pF a 25 V
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Función FET
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-
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Disipación de energía (máx.)
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99W (Tc)
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Temperatura de funcionamiento
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-55°C ~ 175°C (TJ)
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Tipo de montaje
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Paquete de dispositivo del proveedor
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TO-220AB
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Paquete / Caja
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Número de producto base
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