IPD60R2K1CEAUMA1 MOSFET Electrónica de potencia
Descripción del Producto:
El IPD60R2K1CEAUMA1 es un MOSFET de potencia de canal N, optimizado para aplicaciones de conmutación de potencia.Este dispositivo está diseñado con tecnología MOSFET de trinchera avanzada para un RDS (ON) excelente y una carga de compuerta baja.Proporciona un rendimiento de conmutación superior con tiempos de conmutación rápidos y carga de compuerta de bajo nivel.Con una amplia gama de VDSS, este dispositivo es adecuado para una variedad de aplicaciones de energía.
Características:
• MOSFET de potencia de canal N
• Tecnología MOSFET de trinchera avanzada
• Optimizado para aplicaciones de conmutación de energía
• RDS bajo (ON)
• Carga de puerta baja
• Tiempos de conmutación rápidos
• Carga de compuerta de bajo nivel
• Amplia gama de VDSS
• Adecuado para una variedad de aplicaciones de energía
Especificaciones:
• Voltaje de fuente de drenaje (VDSS): 60 V
• Corriente de drenaje (ID): 2A
• RDS (ENCENDIDO): 1,45 mΩ
• Voltaje de puerta-fuente (VGS): ±20V
• Disipación de potencia máxima (PD): 2,2 W
• Temperatura de funcionamiento: -55 °C a +150 °C
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Estado del producto
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Tipo FET
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Tecnología
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Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
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Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C
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Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)
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Rds On (Máx.) @ Id, Vgs
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2,1 ohmios a 760 mA, 10 V
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Vgs(th) (Máx.) @ Id.
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Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
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Vgs (Máx.)
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Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
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Función FET
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Disipación de energía (máx.)
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Temperatura de funcionamiento
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Tipo de montaje
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Paquete de dispositivo del proveedor
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Paquete / Caja
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Número de producto base
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