Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Mosfet de IRF6613TRPBF en En-resistencia baja de alta frecuencia de la electrónica de poder

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Ciudad:shenzhen
País/Región:china
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Mosfet de IRF6613TRPBF en En-resistencia baja de alta frecuencia de la electrónica de poder

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Number modelo :IRF6613TRPBF
Lugar del origen :Multi-origen
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :999999
Plazo de expedición :1-7days
Detalles de empaquetado :Estándar
Tipo de producto :Electrónica de poder del MOSFET
Fabricante :Infineon Technologies
Fabricante Product Number :IRF6613TRPBF
Descripción :MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET
Fabricante Standard Lead Time :1-7days
Descripción detallada :Canal N 40 V 23A (TA), 150A (Tc) 2.8W (TA), TA del soporte DIRECTFET™ de la superficie 89W (Tc)
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Electrónica de poder del MOSFET de IRF6613TRPBF

 

Descripción de producto:


El IRF6613TRPBF es un dispositivo electrónico del poder del MOSFET del modo del aumento del canal N, diseñado para los usos que cambian de alta frecuencia. Este dispositivo ofrece en-resistencia baja y la capacidad de carga de gran intensidad, tomándole una decisión ideal para la gestión del poder y la conversión de circuitos de alta frecuencia.

 

Características:


• En-resistencia baja
• Capacidad de carga de gran intensidad
• Transferencia de alta frecuencia
• RoHS obediente

 

Especificaciones:


• Polaridad: Canal N
• Voltaje: 30V
• Drene al voltaje de la fuente (Vdss): 30V
• Voltaje del umbral de la puerta (Vgs): -4V
• Drene la corriente (identificación): -6A
• Corriente continua del dren (identificación): -6A
• Disipación de poder (paladio): 130W
• Estilo de la caja del transistor: TO-220AB
• No. de pernos: 3
• Gama de temperaturas de funcionamiento: -55°C a +150°C

 

 

Situación del producto
Activo
Tipo del FET
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
3.4mOhm @ 23A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @
2.25V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
63 nC @ 4,5 V
Vgs (máximo)
±20V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
5950 PF @ 15 V
Característica del FET
-
Disipación de poder (máxima)
2.8W (TA), 89W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo
Paquete del dispositivo del proveedor
TA DE DIRECTFET™
Paquete/caso
Número bajo del producto

 

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Mosfet de IRF6613TRPBF en En-resistencia baja de alta frecuencia de la electrónica de poder

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