MOSFET del poder de IRFB4229PBF
Características de producto:
• Modo del aumento del canal N
• 100V, 37A, RDS (encendido) = 0.065Ω
• Carga baja de la puerta (tipo. 11nC)
• Crss bajo (tipo. 0.13A)
• Transferencia rápida
• RoHS obediente
• Sin plomo
• Halógeno-libre
Descripción de producto:
El IRFB4229PBF es un MOSFET del canal N diseñado para los usos que cambian del poder. Ofrece una en-resistencia de 0.065Ω, un grado actual de 37A, y un voltaje de funcionamiento de 100V. El dispositivo tiene una carga baja de la puerta de 11nC y de un Crss bajo de 0.13A. Es RoHS obediente y sin plomo/Halógeno-libre.
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Situación del producto
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Tipo del FET
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Tecnología
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Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
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Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
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Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
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Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
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Identificación de Vgs (th) (máximo) @
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Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
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Vgs (máximo)
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Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
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Característica del FET
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Disipación de poder (máxima)
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Temperatura de funcionamiento
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Montaje del tipo
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Paquete del dispositivo del proveedor
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Paquete/caso
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Número bajo del producto
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