Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Mosfet de IRFB3004PBF en la disipación de pocas calorías de la eficacia alta de la electrónica de poder

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País/Región:china
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Mosfet de IRFB3004PBF en la disipación de pocas calorías de la eficacia alta de la electrónica de poder

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Number modelo :IRFB3004PBF
Lugar del origen :Multi-origen
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :999999
Plazo de expedición :1-7days
Detalles de empaquetado :Estándar
Tipo de producto :Electrónica de poder del MOSFET
Fabricante :Infineon Technologies
Fabricante Product Number :IRFB3004PBF
Descripción :MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Fabricante Standard Lead Time :1-7days
Descripción detallada :Canal N 40 V 195A (Tc) 380W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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Electrónica de poder del MOSFET de IRFB3004PBF

 

Descripción de producto:

 

El IRFB3004PBF es una electrónica de poder del MOSFET del canal N diseñada para el uso en fuentes de alimentación de alta frecuencia del interruptor-modo, la transferencia de fines generales y usos del amplificador. Este MOSFET tiene un grado del voltaje de la dren-fuente de 100V, una corriente del dren de 30A, y una disipación de poder máxima de 4.5W.

 

Características:


• MOSFET del canal N
• grado del voltaje de la Dren-fuente 100V
• corriente del dren 30A
• disipación de poder máxima 4.5W
• En-resistencia baja
• Transferencia de alta velocidad
• RoHS obediente

 

Usos:


• Fuentes de alimentación de alta frecuencia del Interruptor-modo
• Transferencia de fines generales
• Usos del amplificador

 

 

Situación del producto
Activo
Tipo del FET
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
1.75mOhm @ 195A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @
4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Vgs (máximo)
±20V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
9200 PF @ 25 V
Característica del FET
-
Disipación de poder (máxima)
380W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montaje del tipo
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220AB
Paquete/caso
Número bajo del producto

 

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Mosfet de IRFB3004PBF en la disipación de pocas calorías de la eficacia alta de la electrónica de poder

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