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Conversión de potencia de baja pérdida de conmutación rápida de alto rendimiento
Listado de productos:
Nombre del producto: Transistor MOSFET IRLB3813PBF
Descripción: El IRLB3813PBF es un transistor MOSFET de potencia de canal N de Infineon Technologies.Está construido a partir de un MOSFET de trinchera de alto rendimiento y es adecuado para una amplia gama de aplicaciones de conmutación de potencia.El dispositivo cuenta con un bajo RDS (encendido) eficiente y una carga de compuerta baja para reducir las pérdidas de energía en el sistema.
Parámetros:
• RDS (activado): 8,3 mΩ (máx.) @ VGS = 10 V
• Voltaje de umbral de puerta: 2,5 V (máx.)
• Corriente de drenaje continua: 25 A (máx.) a Tc = 25 °C
• Voltaje de la fuente de drenaje: 55 V (máx.)
• Rango de temperatura de funcionamiento: -55 °C a 150 °C
• Libre de Pb y compatible con RoHS
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