Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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P-canal ESD del paquete 59mΩ 5A de la electrónica de poder del MOSFET de MCH6341-TL-W 6-MCPH el solo Diodo-protegió la puerta

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P-canal ESD del paquete 59mΩ 5A de la electrónica de poder del MOSFET de MCH6341-TL-W 6-MCPH el solo Diodo-protegió la puerta

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Number modelo :MCH6341-TL-W
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :999999
Plazo de expedición :1 - 3 días
Detalles de empaquetado :Estándar
Tipo del FET :P-canal
tecnología :MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :30V
Montaje del tipo :Soporte superficial
Vgs (máximo) :±20V
Temperatura de funcionamiento :-55°C ~ 150°C (TJ)
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Electrónica de poder del MOSFET de MCH6341-TL-W

6-MCPH el solo P-canal ESD del paquete 59mΩ 5A diodo-protegió la puerta

 

 

 

 
Situación del producto
Activo
Tipo del FET
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
59mOhm @ 3A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @
2.6V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (máximo)
±20V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
430 PF @ 10 V
Característica del FET
-
Disipación de poder (máxima)
-
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Montaje del tipo
Paquete del dispositivo del proveedor
6-MCPH
Paquete/caso

 

 

 

Características

 

• RDS bajo (encendido)
• impulsión 4V • conformidad Pb-libre y de RoHS
• El ESD diodo-protegió la puerta

 

 

Especificaciones

 

Grados máximos absolutos en Ta=25°C

 

 

 

 

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P-canal ESD del paquete 59mΩ 5A de la electrónica de poder del MOSFET de MCH6341-TL-W 6-MCPH el solo Diodo-protegió la puerta

 

 

 
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