NTMFS4C027NT1G Canal N 30 V 0,2 A (TDS) MOSFET Electrónica de potencia Paquete 5-DFN Canal N único 30 V 52 A

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Number modelo :NTMFS4C027NT1G

Lugar del origen :Original

Cantidad de orden mínima :1

Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

Capacidad de la fuente :999999

Plazo de expedición :1-3 días

Detalles de empaquetado :Estándar

Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :30 V

Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C :16.4A (TA), 52A (Tc)

Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) :4.5V, 10V

Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs :4.8mOhm @ 18A, 10V

Identificación de Vgs (th) (máximo) @ :2.1V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs :nC 18,2 @ 10 V

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Etiquetas de productos:

channel igbt toshiba semiconductor

Carro de la investigación 0

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 voltios
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	16,4 A (Ta), 52 A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5 V, 10 V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	4,8 mOhmios @ 18A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2,1 V a 250 µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	18,2 nC a 10 V
Vgs (Máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1670 pF a 15 V
Función FET	-
Disipación de energía (máx.)	2,51 W (Ta), 25,5 W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje superficial
Paquete de dispositivo del proveedor	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquete / Caja	8-PowerTDFN, 5 conductores