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Tecnología
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MOSFET (óxido de metal)
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Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
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Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C
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Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)
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4,5 V, 10 V
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Rds On (Máx.) @ Id, Vgs
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16mOhm @ 9A, 10V
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Vgs(th) (Máx.) @ Id.
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3V @ 250µA
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Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
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12 nC a 10 V
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Vgs (Máx.)
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±20V
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Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
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720 pF a 15 V
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Función FET
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-
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Disipación de energía (máx.)
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2,4 W (Ta)
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Temperatura de funcionamiento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Tipo de montaje
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Paquete de dispositivo del proveedor
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6-MicroFET (2x2)
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Paquete / Caja
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Listado de productos:
ON Semiconductor FDMA8878 MOSFET Electrónica de potencia
Características clave:
- RDS bajo (encendido) de 0,05 ohmios
- Carga de puerta baja
- Qg mejorado y área de operación segura
- Alta capacidad de corriente pico
- Carga de puerta baja
- Cambio rápido
- RoHS
- AEC-Q101 calificado
Aplicaciones:
- Convertidores CC/CC
- Inversores CC/CA
- Cargadores de bateria
- Fuentes de alimentación para servidores/portátiles
- Aplicaciones automotrices
Especificaciones técnicas:
- Voltaje de fuente de drenaje (VDS): 600V
- Voltaje de fuente de puerta (VGS): ± 20V
- Corriente de drenaje (ID): 58A
- RDS (activado): 0,05 ohmios
- Disipación de potencia máxima (PD): 115W
- Rango de temperatura de funcionamiento: -55 °C a 150 °C