FDMC6679AZ Electrónica de potencia MOSFET de modo de mejora de canal N de doble canal para aplicaciones de alta eficiencia

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Number modelo :FDMC6679AZ

Lugar del origen :Original

Cantidad de orden mínima :1

Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

Capacidad de la fuente :999999

Plazo de expedición :1-3 días

Detalles de empaquetado :Estándar

Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :30 V

Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C :11.5A (TA), 20A (Tc)

Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) :4.5V, 10V

Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs :10mOhm @ 11.5A, 10V

Identificación de Vgs (th) (máximo) @ :3V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs :91 nC @ 10 V

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Etiquetas de productos:

n channel power mosfet

Carro de la investigación 0

Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 voltios
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	11,5 A (Ta), 20 A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5 V, 10 V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	10mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	91 nC a 10 V
Vgs (Máx.)	±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	3970 pF a 15 V
Función FET	-
Disipación de energía (máx.)	2,3 W (Ta), 41 W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje superficial
Paquete de dispositivo del proveedor	8-MLP (3,3x3,3)
Paquete / Caja	8-PowerWDFN