MOSFET de potencia FDB024N08BL7 para aplicaciones de electrónica de potencia de alta eficiencia Canal N único PQFN8 120 V 4,0 m 11

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Number modelo :FDB024N08BL7

Lugar del origen :Original

Cantidad de orden mínima :1

Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

Capacidad de la fuente :999999

Plazo de expedición :1-3 días

Detalles de empaquetado :Estándar

Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :80 V

Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C :120A (Tc)

Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs :2.4mOhm @ 100A, 10V

Identificación de Vgs (th) (máximo) @ :4.5V @ 250A

Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs :178 nC @ 10 V

Vgs (máximo) :±20V

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4.5 kva

Carro de la investigación 0

Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	80 voltios
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	120A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	2,4 mOhm a 100 A, 10 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	4,5 V a 250 µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	178 nC a 10 V
Vgs (Máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	13530 pF a 40 V
Función FET	-
Disipación de energía (máx.)	246W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje superficial
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-263-7
Paquete / Caja	TO-263-7, D²Pak (6 conductores + pestaña)