Descripción

Este MOSFET de potencia de modo de mejora de canal P se produce utilizando la tecnología DMOS y de banda plana patentada de Fairchild Semiconductor.Esta avanzada tecnología MOSFET se ha diseñado especialmente para reducir la resistencia en estado activo y para proporcionar un rendimiento de conmutación superior y una alta fuerza de energía de avalancha.Estos dispositivos son adecuados para fuentes de alimentación de modo conmutado, amplificador de audio, motor de CC
control y aplicaciones de potencia de conmutación variable.

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FQD17P06TM MOSFET Electrónica de potencia QFET de canal P -60 V -12 A 135 mΩ

Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	12A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	135mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	27 nC a 10 V
Vgs (Máx.)	±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	900 pF a 25 V
Función FET	-
Disipación de energía (máx.)	2,5 W (Ta), 44 W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje superficial
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-252AA
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 conductores + pestaña), SC-63

FQD17P06TM MOSFET Electrónica de potencia QFET de canal P -60 V -12 A 135 mΩ

Chip CI programable

Chip CI del circuito integrado

Unidad del microcontrolador de MCU

Chips CI de los componentes electrónicos

Microprocesadores de memoria Flash

Electrónica de poder del MOSFET

Módulo de poder de IGBT

Transistor del diodo de IC

FQD17P06TM MOSFET Electrónica de potencia QFET de canal P -60 V -12 A 135 mΩ

2n3773 dc switching circuit

4.5 kva

n channel power mosfet