Características
• rDS(ENCENDIDO) = 19 mΩ (típ.), VGS = 10 V, ID = 7,5 A
• Qg(tot) = 28nC (típ.), VGS = 10V
• Cargo Miller bajo
• Diodo de cuerpo QRR bajo
• Eficiencia optimizada a altas frecuencias
• Capacidad UIS (pulso único y pulso repetitivo)

Aplicaciones
• Convertidores CC/CC y SAI fuera de línea
• Arquitecturas de energía distribuida y VRM
• Interruptor primario para sistemas de 24 V y 48 V
• Rectificador síncrono de alto voltaje

• Protección de la bateríaPor qué comprar con nosotros >>> Rápido / Seguro / Conveniente
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• Estamos comprometidos a brindar un servicio de transporte rápido, conveniente y seguro al comprador global.

FDS3672 MOSFET Power Electronics N-Channel PowerTrench® 100V 7.5A 22mΩ Rectificador síncrono de alto voltaje

Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	7.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	23mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	37 nC a 10 V
Vgs (Máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2015 pF a 25 V
Función FET	-
Disipación de energía (máx.)	2,5 W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje superficial
Paquete de dispositivo del proveedor	8-SOIC
Paquete / Caja	8-SOIC (0,154", 3,90 mm de ancho)

FDS3672 MOSFET Power Electronics N-Channel PowerTrench® 100V 7.5A 22mΩ Rectificador síncrono de alto voltaje

Chip CI programable

Chip CI del circuito integrado

Unidad del microcontrolador de MCU

Chips CI de los componentes electrónicos

Microprocesadores de memoria Flash

Electrónica de poder del MOSFET

Módulo de poder de IGBT

Transistor del diodo de IC

FDS3672 MOSFET Power Electronics N-Channel PowerTrench® 100V 7.5A 22mΩ Rectificador síncrono de alto voltaje

3.6kva inverter

4.5kva inverter

1.5kva power inverter