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Paquete aumentado canal N TO-252 de despegue del dV del diodo del cuerpo de la electrónica de poder del MOSFET de IRFR3607TRPBF y de despegue de los dI

Tipo del FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)	75 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C	56A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs	9mOhm @ 46A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @	4V @ 100µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs	84 nC @ 10 V
Vgs (máximo)	±20V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds	3070 PF @ 50 V
Característica del FET	-
Disipación de poder (máxima)	140W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Montaje del tipo	Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor	D-Pak
Paquete/caso	TO-252-3, DPak (2 ventajas + etiquetas), SC-63

Paquete aumentado canal N TO-252 de despegue del dV del diodo del cuerpo de la electrónica de poder del MOSFET de IRFR3607TRPBF y de despegue de los dI

Chip CI programable

Chip CI del circuito integrado

Unidad del microcontrolador de MCU

Chips CI de los componentes electrónicos

Microprocesadores de memoria Flash

Electrónica de poder del MOSFET

Módulo de poder de IGBT

Transistor del diodo de IC

Paquete aumentado canal N TO-252 de despegue del dV del diodo del cuerpo de la electrónica de poder del MOSFET de IRFR3607TRPBF y de despegue de los dI

rectifier diode datasheet

in5408 diode equivalent

rl207 diode equivalent