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Canal N DC DC de la electrónica de poder del MOSFET de IRFB7545PBF e inversores de los convertidores de la CA DC

Tipo del FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)	60 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C	95A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs	5.9mOhm @ 57A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @	3.7V @ 100µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs	110 nC @ 10 V
Vgs (máximo)	±20V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds	4010 PF @ 25 V
Característica del FET	-
Disipación de poder (máxima)	125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Montaje del tipo	A través del agujero
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220
Paquete/caso	TO-220-3

Canal N DC DC de la electrónica de poder del MOSFET de IRFB7545PBF e inversores de los convertidores de la CA DC

Chip CI programable

Chip CI del circuito integrado

Unidad del microcontrolador de MCU

Chips CI de los componentes electrónicos

Microprocesadores de memoria Flash

Electrónica de poder del MOSFET

Módulo de poder de IGBT

Transistor del diodo de IC

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