AOD508 MOSFET Electrónica de potencia Semiconductor discreto Canal N 30V 50W Paquete de montaje en superficie TO-252

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Number modelo :AOD508

Lugar del origen :Original

Cantidad de orden mínima :1

Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

Capacidad de la fuente :999999

Plazo de expedición :1 - 3 días

Detalles de empaquetado :Estándar

Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) :4.5V, 10V

Disipación de poder (máxima) :2.5W (TA), 50W (Tc)

Paquete/caso :TO-252-3, DPak (2 ventajas + etiquetas), SC-63

Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds :2010 PF @ 15 V

Número bajo del producto :AOD50

Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs :49 nC @ 10 V

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Etiquetas de productos:

datasheet 7 segment common anode

Carro de la investigación 0

Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 voltios
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	22A (Ta), 70A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5 V, 10 V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2,2 V a 250 µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	49 nC a 10 V
Vgs (Máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2010 pF a 15 V
Función FET	-
Disipación de energía (máx.)	2,5 W (Ta), 50 W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje superficial
Paquete de dispositivo del proveedor	A-252 (DPAK)
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	AOD50