Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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AO3406 MOSFET Power Electronics Semiconductor discreto N-Channel 30V para uso como paquete de interruptor de carga SOT-23-3

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AO3406 MOSFET Power Electronics Semiconductor discreto N-Channel 30V para uso como paquete de interruptor de carga SOT-23-3

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Number modelo :AO3406
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :999999
Plazo de expedición :1 - 3 días
Detalles de empaquetado :Estándar
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs :50mOhm @ 3.6A, 10V
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs :Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds :210 PF @ 15 V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ :2.5V @ 250µA
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :30 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C :3.6A (TA)
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Electrónica de potencia MOSFET AO3406

Semiconductor discreto Canal N de 30 V para uso como paquete de interruptor de carga SOT-23-3

Tipo FET
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)
4,5 V, 10 V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs
50mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2,5 V a 250 µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
5 nC a 10 V
Vgs (Máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
210 pF a 15 V
Función FET
-
Disipación de energía (máx.)
1,4 W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Paquete de dispositivo del proveedor
SOT-23-3
Paquete / Caja
Número de producto base

Descripción general

El AO3406 utiliza tecnología de trinchera avanzada para proporcionar un excelente RDS (ON) y una carga de compuerta baja.Este dispositivo es adecuado para usar como interruptor de carga o en aplicaciones PWM

A. El valor de RθJA se mide con el dispositivo montado en una placa FR-4 de 1in2 con 2oz.Cobre, en un ambiente de aire quieto con TA =25°C.El valor en cualquier aplicación determinada depende del diseño de placa específico del usuario.

B. La disipación de potencia PD se basa en TJ(MAX)=150°C, usando ≤ 10s de resistencia térmica de la unión al ambiente.

C. Clasificación repetitiva, ancho de pulso limitado por la temperatura de unión TJ(MAX)=150°C.Las clasificaciones se basan en baja frecuencia y ciclos de trabajo para mantener la TJ inicial = 25 °C

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• Estamos comprometidos a brindar un servicio de transporte rápido, conveniente y seguro al comprador global.

AO3406 MOSFET Power Electronics Semiconductor discreto N-Channel 30V para uso como paquete de interruptor de carga SOT-23-3

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