AON6144 MOSFET Electrónica de potencia Transistores FET MOSFET Canal N único 40 V 100 A Paquete de montaje en superficie 8-DFN

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Number modelo :AON6144

Lugar del origen :Original

Cantidad de orden mínima :1

Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

Capacidad de la fuente :999999

Plazo de expedición :1 - 3 días

Detalles de empaquetado :Estándar

Situación de RoHS :Cumple con ROHS3

Poder Disipación-máximo :78W Tc

Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs :2.4mOhm @ 20A, 10V

Paquete/caso :8-PowerSMD, ventajas planas

Número bajo del producto :AON61

Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds :3780 PF @ 20 V

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Etiquetas de productos:

datasheet 7 segment common anode

Carro de la investigación 0

Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 voltios
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5 V, 10 V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	2,4 mOhm a 20 A, 10 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2,4 V a 250 µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	70 nC a 10 V
Vgs (Máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	3780 pF a 20 V
Función FET	-
Disipación de energía (máx.)	78W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje superficial
Paquete de dispositivo del proveedor	8-DFN (5x6)
Paquete / Caja	8-PowerSMD, conductores planos
Número de producto base	AON61