AO3407A MOSFET Power Electronics Transistores FET MOSFET P-Channel 30 V 4.3A 1.4W Paquete de montaje en superficie SOT-23-3

Preguntar último precio

Number modelo :AO3407A

Lugar del origen :Original

Cantidad de orden mínima :1

Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

Capacidad de la fuente :999999

Plazo de expedición :1 - 3 días

Detalles de empaquetado :Estándar

Temperatura de funcionamiento :-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaje del tipo :Soporte superficial

Paquete del dispositivo del proveedor :SOT-23-3

Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :30V

Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C :4.3A (TA)

Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) :4.5V, 10V

Contacta

Add to Cart

Etiquetas de productos:

common anode 7 segment

Carro de la investigación 0

Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 voltios
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	4.3A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5 V, 10 V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	48mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	16 nC a 10 V
Vgs (Máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	830 pF a 15 V
Función FET	-
Disipación de energía (máx.)	1,4 W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje superficial
Paquete de dispositivo del proveedor	SOT-23-3
Paquete / Caja	Variante 3-SMD, SOT-23-3