IRLS4030TRLPBF MOSFET Power Electronics N-Channel 100V Paquete de conmutación de alimentación de alta velocidad TO-263

Aplicaciones
Accionamiento de motor de CC
Rectificación Síncrona de Alta Eficiencia en SMPS
Fuente de poder ininterrumpible
Conmutación de energía de alta velocidad
Circuitos de alta frecuencia y de conmutación dura

Beneficios
Optimizado para unidad de nivel lógico
RDS muy bajo (ENCENDIDO) a 4,5 V VGS
Superior R*Q a 4.5V VGS
Robustez mejorada de Gate, Avalanche y Dynamic dV/dt
Capacitancia completamente caracterizada y Avalancha SOA
Capacidad mejorada de diodo de cuerpo dV/dt y dI/dt
Sin plomo

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IRLS4030TRLPBF MOSFET Power Electronics N-Channel 100V Paquete de conmutación de alimentación de alta velocidad TO-263

Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	180A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5 V, 10 V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	4,3 mOhmios a 110 A, 10 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2,5 V a 250 µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	130 nC a 4,5 V
Vgs (Máx.)	±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	11360 pF a 50 V
Función FET	-
Disipación de energía (máx.)	370W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje superficial
Paquete de dispositivo del proveedor	D2PAK
Paquete / Caja	TO-263-3, D²Pak (2 conductores + pestaña), TO-263AB

IRLS4030TRLPBF MOSFET Power Electronics N-Channel 100V Paquete de conmutación de alimentación de alta velocidad TO-263

Chip CI programable

Chip CI del circuito integrado

Unidad del microcontrolador de MCU

Chips CI de los componentes electrónicos

Microprocesadores de memoria Flash

Electrónica de poder del MOSFET

Módulo de poder de IGBT

Transistor del diodo de IC

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