IRFR4105ZTRPBF MOSFET Power Electronics Paquete de conmutación rápida de canal N TO-252

Tecnología de proceso avanzada
Resistencia ultrabaja
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Cambio rápido
Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax
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Descripción:
Este MOSFET de potencia HEXFET® utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio.Las características adicionales de este diseño son una unión de 175°C que opera
temperatura, velocidad de conmutación rápida y clasificación de avalancha repetitiva mejorada.Estas características se combinan para hacer de este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.

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IRFR4105ZTRPBF MOSFET Power Electronics Paquete de conmutación rápida de canal N TO-252

Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	55V
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	30A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	24,5 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	27 nC a 10 V
Vgs (Máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	740 pF a 25 V
Función FET	-
Disipación de energía (máx.)	48W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje superficial
Paquete de dispositivo del proveedor	Paquete D
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 conductores + pestaña), SC-63

IRFR4105ZTRPBF MOSFET Power Electronics Paquete de conmutación rápida de canal N TO-252

Chip CI programable

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Chips CI de los componentes electrónicos

Microprocesadores de memoria Flash

Electrónica de poder del MOSFET

Módulo de poder de IGBT

Transistor del diodo de IC

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