Paquete 8-SOIC de la tecnología de la generación V del canal N 20V de la electrónica de poder del MOSFET de IRF7401TRPBF
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Tipo del FET
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Tecnología
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Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
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Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
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Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
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Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
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Identificación de Vgs (th) (máximo) @
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Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
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Vgs (máximo)
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Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
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Característica del FET
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Disipación de poder (máxima)
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Temperatura de funcionamiento
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Montaje del tipo
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Paquete del dispositivo del proveedor
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Paquete/caso
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Tecnología de la generación V
En-resistencia ultrabaja
N-ChannelMosfet
Soporte superficial
Disponible en cinta y carrete
Transferencia dinámica de dv/dt RatingFast
Sin plomo
Descripción:
La quinta generación HEXFETs de Rectifierutilize internacional avanzó técnicas de proceso para alcanzar la en-resistencia posible más thelowest por área del silicio. Thisbenefit, combinado con el diseño andruggedized rápido del dispositivo de la velocidad que cambia para el cual HEXFET PowerMOSFETs son bien sabido, proporciona el designerwith un dispositivo extremadamente eficiente para el uso en un widevariety de usos.
Los TAN 8 se ha modificado a través de un customizedleadframe para las características termales aumentadas que muere el andmultiple capacidad que lo hace ideal en una variedad de usos del poder. Withtheseimprovements, multipledevices se puede utilizar en un uso con el espacio dramaticallyreduced del tablero. El paquete se diseña las técnicas que sueldan de la fase, infrarrojas, o de la onda del forvapor. La disipación de poder de mayor que 0.8V es uso típico del soporte del PWB del ina posible.
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