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Tipo del FET
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Tecnología
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MOSFET (óxido de metal)
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Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
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Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
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Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
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10V
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Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
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1.4Ohm @ 700mA, 10V
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Identificación de Vgs (th) (máximo) @
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3.5V @ 40µA
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Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
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4,7 nC @ 10 V
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Vgs (máximo)
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±16V
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Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
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158 PF @ 400 V
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Característica del FET
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-
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Disipación de poder (máxima)
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23W (Tc)
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Temperatura de funcionamiento
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-40°C ~ 150°C (TJ)
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Montaje del tipo
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Paquete del dispositivo del proveedor
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PG-TO252-3
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Paquete/caso
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