Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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El canal N 700V del paquete de la electrónica de poder del MOSFET IPD70R1K4P7SAUMA1 PG-TO252-3 costó tecnología competitiva

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El canal N 700V del paquete de la electrónica de poder del MOSFET IPD70R1K4P7SAUMA1 PG-TO252-3 costó tecnología competitiva

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Number modelo :IPD70R1K4P7SAUMA1
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :999999
Plazo de expedición :1 - 3 días
Detalles de empaquetado :Estándar
Tipo del FET :Canal N
tecnología :MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :700V
Vgs (máximo) :±16V
Temperatura de funcionamiento :-40°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo :Soporte superficial
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Electrónica de poder del MOSFET IPD70R1K4P7SAUMA1
El canal N 700V del paquete PG-TO252-3 costó tecnología competitiva

 

 

 

 

Tipo del FET
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
1.4Ohm @ 700mA, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @
3.5V @ 40µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
4,7 nC @ 10 V
Vgs (máximo)
±16V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
158 PF @ 400 V
Característica del FET
-
Disipación de poder (máxima)
23W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-TO252-3
Paquete/caso
 

 

 

El rm de CoolMOS es una tecnología revolucionaria para los powerMOSFETs de alto voltaje, diseñada según el principio del superjunction (SJ) andpioneered por el infineon Technologies.The que el último CoolMOS P7 es una plataforma optimizada adaptada para apuntar usos costsensitive en mercados de consumidores tales como cargador, adapter.lighting, TV, etc.

 

La nueva serie proporciona todas las ventajas de una transferencia rápida SuperjunctionMOSFET, combinadas con un ratio excelente del precio/funcionamiento y un nivel de fácil utilización avanzado. La tecnología resuelve los efficiencystandards más altos y apoya densidad de poder más elevado, permitiendo diseños muy delgados de los goingtowards de los clientes.

 

 

 

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El canal N 700V del paquete de la electrónica de poder del MOSFET IPD70R1K4P7SAUMA1 PG-TO252-3 costó tecnología competitiva

 

 

 
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