Poder-MOSFET 60V de OptiMOSTM del canal N de la electrónica de poder del MOSFET BSC016N06NSATMA1

Características
•Optimizedforsynchronousrectification
•100%avalanchetested
•Superiorthermalresistance
•Canal N
•) Fortargetapplications QualifiedaccordingtoJEDEC1
•Pb-freeleadplating; RoHScompliant
•Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21
•Highersolderjointreliabilityduetoenlargedsourceinterconnection

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Poder-MOSFET 60V de OptiMOSTM del canal N de la electrónica de poder del MOSFET BSC016N06NSATMA1

Tipo del FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)	60 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C	30A (TA), 100A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs	1.6mOhm @ 50A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @	2.8V @ 95µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs	71 nC @ 10 V
Vgs (máximo)	±20V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds	5200 PF @ 30 V
Característica del FET	-
Disipación de poder (máxima)	2.5W (TA), 139W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo	Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8 FL
Paquete/caso	8-PowerTDFN

Poder-MOSFET 60V de OptiMOSTM del canal N de la electrónica de poder del MOSFET BSC016N06NSATMA1

Chip CI programable

Chip CI del circuito integrado

Unidad del microcontrolador de MCU

Chips CI de los componentes electrónicos

Microprocesadores de memoria Flash

Electrónica de poder del MOSFET

Módulo de poder de IGBT

Transistor del diodo de IC

Poder-MOSFET 60V de OptiMOSTM del canal N de la electrónica de poder del MOSFET BSC016N06NSATMA1

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