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BSC011N03LSATMA1 MOSFET Electrónica de potencia Canal N OptiMOSTM Power-MOSFET 30V

Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 voltios
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	37A (Ta), 100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5 V, 10 V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	1,1 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2,2 V a 250 µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	72 nC a 10 V
Vgs (Máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	4700 pF a 15 V
Función FET	-
Disipación de energía (máx.)	2,5 W (Ta), 96 W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje superficial
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8-1
Paquete / Caja	8-PowerTDFN

BSC011N03LSATMA1 MOSFET Electrónica de potencia Canal N OptiMOSTM Power-MOSFET 30V

Chip CI programable

Chip CI del circuito integrado

Unidad del microcontrolador de MCU

Chips CI de los componentes electrónicos

Microprocesadores de memoria Flash

Electrónica de poder del MOSFET

Módulo de poder de IGBT

Transistor del diodo de IC

BSC011N03LSATMA1 MOSFET Electrónica de potencia Canal N OptiMOSTM Power-MOSFET 30V

rs mmc dual voltage

dual voltage rs mmc

irf520 mosfet