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BSC123N08NS3GATMA1 MOSFET Electrónica de potencia Canal N 80 V OptiMOSTm3 Paquete 8-PowerTDFN

Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	80 voltios
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	11A (Ta), 55A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	12,3 mOhmios a 33 A, 10 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	3,5 V a 33 µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	25 nC a 10 V
Vgs (Máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1870 pF a 40 V
Función FET	-
Disipación de energía (máx.)	2,5 W (Ta), 66 W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje superficial
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8-1
Paquete / Caja	8-PowerTDFN

BSC123N08NS3GATMA1 MOSFET Electrónica de potencia Canal N 80 V OptiMOSTm3 Paquete 8-PowerTDFN

Chip CI programable

Chip CI del circuito integrado

Unidad del microcontrolador de MCU

Chips CI de los componentes electrónicos

Microprocesadores de memoria Flash

Electrónica de poder del MOSFET

Módulo de poder de IGBT

Transistor del diodo de IC

BSC123N08NS3GATMA1 MOSFET Electrónica de potencia Canal N 80 V OptiMOSTm3 Paquete 8-PowerTDFN

genset fawde 15 kva

mosfet irf3205

irf520 mosfet