Electrónica de poder del MOSFET de IRFB4020PBF
Canal N RDSON bajo del paquete de TO-220AB para la eficacia mejorada
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Tipo del FET
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Tecnología
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Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
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Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
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Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
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Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
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Identificación de Vgs (th) (máximo) @
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Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
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Vgs (máximo)
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Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
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Característica del FET
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Disipación de poder (máxima)
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Temperatura de funcionamiento
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Montaje del tipo
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Paquete del dispositivo del proveedor
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Paquete/caso
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Características
• Los parámetros dominantes optimizaron para los usos del amplificador audio de la clase-d
• RDSON bajo para la eficacia mejorada
• QG y QSW bajos para un mejor THD y la eficacia mejorada
• QRR bajo para un mejor THD y una EMI más baja
• temperatura de empalme de funcionamiento 175°C para la aspereza
• Puede entregar hasta 300W por el canal en la carga 8Ω en amplificador de la configuración del semipuente
Descripción
Este MOSFET del audio de Digitaces se diseña específicamente para los usos del amplificador audio de la clase-d. Técnicas de este del MOSFET proceso del utilizesthe las últimas para alcanzar en-resistencia baja por área del silicio. Además, la carga de la puerta, la recuperación del cuerpo-diodereverse y la resistencia interna de la puerta se optimizan para mejorar performancefactors del amplificador audio de la clase-d de la llave tales como eficacia, THD y EMI.
Las características adicionales de este MOSFET son temperatura de empalme de funcionamiento 175°C y capacidad repetidor de la avalancha. Estas características combinan para hacer este MOSFET un dispositivo muy eficiente, robusto y confiable para los usos del amplificador audio de ClassD.
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