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BSZ099N06LS5ATMA1 MOSFET Power Electronics N-Channel OptiMOSTMPower-Transistor 60V Paquete PG-TSDSON-8 FL

Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	46A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5 V, 10 V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	9,9 mOhmios a 20 A, 10 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2,3 V a 14 µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	3,1 nC a 4,5 V
Vgs (Máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1300 pF a 30 V
Función FET	Estándar
Disipación de energía (máx.)	36W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje superficial
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TSDSON-8-FL
Paquete / Caja	8-PowerTDFN

BSZ099N06LS5ATMA1 MOSFET Power Electronics N-Channel OptiMOSTMPower-Transistor 60V Paquete PG-TSDSON-8 FL

Chip CI programable

Chip CI del circuito integrado

Unidad del microcontrolador de MCU

Chips CI de los componentes electrónicos

Microprocesadores de memoria Flash

Electrónica de poder del MOSFET

Módulo de poder de IGBT

Transistor del diodo de IC

BSZ099N06LS5ATMA1 MOSFET Power Electronics N-Channel OptiMOSTMPower-Transistor 60V Paquete PG-TSDSON-8 FL

2sa1535 pnp power transistor

genset fawde 15 kva

in5408 diode equivalent