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BSS306NH6327XTSA1 MOSFET Power Electronics OptiMOS™2 Paquete de canal N de transistor de señal pequeña SOT-23

Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 voltios
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	2.3A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5 V, 10 V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	57mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2V @ 11µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	1,5 nC a 5 V
Vgs (Máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	275 pF a 15 V
Función FET	-
Disipación de energía (máx.)	500 mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje superficial
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-SOT23
Paquete / Caja	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

BSS306NH6327XTSA1 MOSFET Power Electronics OptiMOS™2 Paquete de canal N de transistor de señal pequeña SOT-23

Chip CI programable

Chip CI del circuito integrado

Unidad del microcontrolador de MCU

Chips CI de los componentes electrónicos

Microprocesadores de memoria Flash

Electrónica de poder del MOSFET

Módulo de poder de IGBT

Transistor del diodo de IC

BSS306NH6327XTSA1 MOSFET Power Electronics OptiMOS™2 Paquete de canal N de transistor de señal pequeña SOT-23

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