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2N7002H6327XTSA2 MOSFET Paquete de transistor de señal pequeña OptiMOS™ de canal N de electrónica de potencia SOT23

Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	300mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5 V, 10 V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	3 ohmios a 500 mA, 10 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2,5 V a 250 µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	0,6 nC a 10 V
Vgs (Máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	20 pF a 25 V
Función FET	-
Disipación de energía (máx.)	500 mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje superficial
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-SOT23
Paquete / Caja	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

2N7002H6327XTSA2 MOSFET Paquete de transistor de señal pequeña OptiMOS™ de canal N de electrónica de potencia SOT23

Chip CI programable

Chip CI del circuito integrado

Unidad del microcontrolador de MCU

Chips CI de los componentes electrónicos

Microprocesadores de memoria Flash

Electrónica de poder del MOSFET

Módulo de poder de IGBT

Transistor del diodo de IC

2N7002H6327XTSA2 MOSFET Paquete de transistor de señal pequeña OptiMOS™ de canal N de electrónica de potencia SOT23

p-channel mosfet sot-23

sot23 mosfet

to220 mosfet