Electrónica de poder del MOSFET de FCD2250N80Z
MOSFET 800V 2.6A de SuperFET® II del canal N del paquete de TO-252AA
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Tipo del FET
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Tecnología
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Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
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Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
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Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
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Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
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Identificación de Vgs (th) (máximo) @
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Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
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Vgs (máximo)
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Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
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Característica del FET
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Disipación de poder (máxima)
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Temperatura de funcionamiento
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Montaje del tipo
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Paquete del dispositivo del proveedor
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Paquete/caso
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Características
• 1,8 Typ del RDS (encendido) =.)
• Carga ultrabaja de la puerta (tipo. Qg = 11 nC)
• Eoss bajo (tipo. 1,1 uJ @ 400V)
• Capacitancia de salida eficaz baja (tipo. Coss (efectividad) = 51 PF)
• La avalancha 100% probó
• RoHS obediente
• El ESD mejoró usos de la capacidad
• CA - fuente de corriente continua • Iluminación del LED
Descripción
El MOSFET de SuperFET® II es la familia de alto voltaje a estrenar del MOSFET del estupendo-empalme del semiconductor de Fairchild (SJ) que está utilizando la tecnología de la balanza de la carga para la en-resistencia baja excepcional y un funcionamiento más bajo de la carga de la puerta. Esta tecnología se adapta para minimizar pérdida de la conducción, proporcionar funcionamiento que cambia superior, tarifa de dv/dt y una energía más alta de la avalancha. Por lo tanto, el MOSFET de SuperFET II es muy conveniente para los usos del poder que cambian tales como adaptador del audio, del ordenador portátil, iluminación, poder de ATX y usos industriales del poder.
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