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Canal N 60 V 46 A de la electrónica de poder del MOSFET de NTD5865NLT4G paquete TO-252 de 16 m

Drene al voltaje de la fuente (Vdss)	60 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C	46A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs	16mOhm @ 20A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @	2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs	29 nC @ 10 V
Vgs (máximo)	±20V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds	1400 PF @ 25 V
Característica del FET	-
Disipación de poder (máxima)	71W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Montaje del tipo	Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor	DPAK
Paquete/caso	TO-252-3, DPak (2 ventajas + etiquetas), SC-63

Canal N 60 V 46 A de la electrónica de poder del MOSFET de NTD5865NLT4G paquete TO-252 de 16 m

Chip CI programable

Chip CI del circuito integrado

Unidad del microcontrolador de MCU

Chips CI de los componentes electrónicos

Microprocesadores de memoria Flash

Electrónica de poder del MOSFET

Módulo de poder de IGBT

Transistor del diodo de IC

Canal N 60 V 46 A de la electrónica de poder del MOSFET de NTD5865NLT4G paquete TO-252 de 16 m

apr48 rectifier ba13ab1207

mosfet module tp6c07001

ksd301 125v 16a