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Gama del P-canal 2.5V del paquete de la electrónica de poder del MOSFET FDS6375 8-SOIC amplia del voltaje de la impulsión de la puerta
Tipo del FET
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Tecnología
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MOSFET (óxido de metal)
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Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
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Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
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Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
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2.5V, 4.5V
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Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
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24mOhm @ 8A, 4.5V
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Identificación de Vgs (th) (máximo) @
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1.5V @ 250µA
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Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
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36 nC @ 4,5 V
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Vgs (máximo)
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±8V
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Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
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2694 PF @ 10 V
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Característica del FET
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-
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Disipación de poder (máxima)
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2.5W (TA)
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Temperatura de funcionamiento
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-55°C ~ 175°C (TJ)
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Montaje del tipo
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Paquete del dispositivo del proveedor
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8-SOIC
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Paquete/caso
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Descripción general
Este P-canal 2.5V especificó el MOSFET es una versión rugosa de la puerta del proceso avanzado de PowerTrench del semiconductor de Fairchild. Se ha optimizado para los usos de la gestión del poder con una amplia gama de voltaje de la impulsión de la puerta (2.5V – 8V).
Usos
· Gestión del poder
· Interruptor de la carga
· Protección de la batería
Características
· – 8 A, – 20 V. RDS (ENCENDIDO) = 24 mW @ VGS = – 4,5 V RDS (ENCENDIDO) = 32 mW @ VGS = – 2,5 V
· Carga baja de la puerta (26 nC típicos)
· Tecnología del foso del alto rendimiento para extremadamente - el RDS bajo (ENCENDIDO)
· Capacidad de gran intensidad y del manejo de la potencia
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