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Electrónica de poder del MOSFET de FDMS0312AS 8-PQFN
Rectificación lateral secundaria de las telecomunicaciones del canal N 30V 22A 5.0mΩ del paquete
Situación del producto
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Activo
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Tipo del FET
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Tecnología
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MOSFET (óxido de metal)
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Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
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Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
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Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
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4.5V, 10V
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Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
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5mOhm @ 18A, 10V
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Identificación de Vgs (th) (máximo) @
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3V @ 1mA
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Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
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31 nC @ 10 V
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Vgs (máximo)
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±20V
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Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
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1815 PF @ 15 V
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Característica del FET
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-
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Disipación de poder (máxima)
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2.5W (TA), 36W (Tc)
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Temperatura de funcionamiento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Montaje del tipo
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Paquete del dispositivo del proveedor
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8-PQFN (5x6)
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Paquete/caso
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Características
MΩ máximo 5,0 del rDS (encendido) = en VGS = 10 V, identificación = 18 A
MΩ máximo 6,2 del rDS (encendido) = en VGS = 4,5 V, identificación = 16 A
¿Paquete y silícico avanzados en el ion del combinat para r bajo DS (encendido) y el diodo del cuerpo de SyncFET Schottky de la eficacia alta?? ¿Diseño de paquete robusto MSL1?? El 100% UIL probó
RoHS obediente
Descripción general
El FDMS0312AS se ha diseñado para minimizar pérdidas en el uso de la conversión de poder. Los adelantos en tecnologías del silicio y del paquete se han combinado para ofrecer el rDS más bajo (encendido) mientras que funcionamiento excelente de la transferencia que mantenía. Este dispositivo tiene la ventaja añadida de un diodo monolítico eficiente del cuerpo de Schottky.
Usos
Rectificador síncrono para los convertidores de DC/DC
Interruptor lateral bajo del cuaderno Vcore/GPU
Punto del establecimiento de una red del interruptor lateral bajo de la carga
Rectificación lateral secundaria de las telecomunicaciones
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