Electrónica de poder del MOSFET de FQT4N20LTF
Lastres electrónicos de la lámpara de la fuerza de la alta energía del canal N del paquete SOT-223-4
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Y tipo
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Tecnología
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Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
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Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
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Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
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Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
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Identificación de Vgs (th) (máximo) @
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Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
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Vgs (máximo)
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Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
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Característica del FET
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Disipación de poder (máxima)
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Temperatura de funcionamiento
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Montaje del tipo
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Paquete del dispositivo del proveedor
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Paquete/caso
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Este MOSFET del poder del modo del aumento del canal N se produce usando la raya planar propietaria de Fairchild Semiconductor® y la tecnología de DMOS. Esta tecnología avanzada del MOSFET se ha adaptado especialmente para reducir resistencia del en-estado, y para proporcionar funcionamiento que cambiaba superior y alta fuerza de la energía de la avalancha. Estos dispositivos son convenientes para las fuentes de alimentación cambiadas del modo, la corrección de factor de poder activo (PFC), y los lastres electrónicos de la lámpara.
Características
• 0,85 A, 200 V, Ω =1.35 del RDS (encendido) (tipo.) @VGS=10 V, ID=0.425 A
• Carga baja de la puerta (tipo. 4 nC) • Crss bajo (tipo. 6 PF)
• 100% MOSFET probado avalancha 200 V, 0,85 A, del ® del canal N QFET descripción 1,40 del Ω
• Impulsión baja Requirments de la puerta permitiendo la operación directa de impulsiones de la lógica.
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