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Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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FCB070N65S3 MOSFET Power Electronics N-Channel SUPERFET III Easy Drive 650 V 44 A 70 m Paquete TO-263

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China FCB070N65S3 MOSFET Power Electronics N-Channel SUPERFET III Easy Drive 650 V 44 A 70 m Paquete TO-263 wholesale
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FCB070N65S3 MOSFET Power Electronics N-Channel SUPERFET III Easy Drive 650 V 44 A 70 m Paquete TO-263
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Number modelo :FCB070N65S3
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :999999
Plazo de expedición :1-3 días
Detalles de empaquetado :Estándar
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :650 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C :44A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) Rds encendido, Min Rds On) :10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs :70mOhm @ 22A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ :4.5V @ 4.4µA
Vgs (máximo) :±30V
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PowerTrench de canal N

QFET de canal P® MOSFET
FCB070N65S3 MOSFET Electrónica de potencia N-Channel SUPERFET III Easy Drive 650 V 44 A 70 mPaqueteTO-263

-60 v, -12 A, 135
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C
44A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs
70mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4,5 V a 4,4 mA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
78 nC a 10 V
Vgs (Máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
3090 pF a 400 V
Función FET
-
Disipación de energía (máx.)
312W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Paquete de dispositivo del proveedor
D²PAK (TO-263)
Paquete / Caja
TO-263-3, D²Pak (2 conductores + pestaña), TO-263AB

Descripción
SUPERFET III MOSFET es la nueva familia de MOSFET de superunión (SJ) de alto voltaje de ON Semiconductor que utiliza tecnología de equilibrio de carga para lograr una excelente resistencia de encendido baja y un rendimiento de carga de compuerta inferior.Esta tecnología avanzada está diseñada para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y
soportar una tasa extrema de dv/dt.En consecuencia, SUPERFET III MOSFET es muy adecuado para varias conversiones de energía CA/CC para la miniaturización del sistema y una mayor eficiencia.


Características
• 700 V @ TJ = 150 °C
• RDS (activado) = 62 m (típ.)
• Carga de compuerta ultrabaja (típ. Qg = 78 nC)
• Capacitancia de salida efectiva baja (Typ. Coss(eff.) = 715 pF)
• 100 % probado contra avalanchas
• Estos dispositivos están libres de plomo y cumplen con RoHS


Aplicaciones
• Fuentes de alimentación para telecomunicaciones/servidores
• Fuentes de alimentación industriales
• SAI/Solar

• Protección de la bateríaPor qué comprar con nosotros >>> Rápido / Seguro / Conveniente
• SKL es una empresa de almacenamiento y comercio de componentes electrónicos. Nuestras sucursales incluyen China, Hong Kong, Sigapore, Canadá.Ofrezca negocios, servicios, recursos e información para nuestro miembro global.
• Se garantiza que los productos sean de la más alta calidad posible y se entregan a nuestros clientes en todo el mundo con rapidez y precisión.

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Servicio >>>
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• Intentaremos responder lo más rápido posible.Pero debido a la diferencia de zona horaria, espere hasta 24 horas para que le respondan su correo.Los productos fueron probados por algunos dispositivos o software, nos aseguramos de que no haya problemas de calidad.
• Estamos comprometidos a brindar un servicio de transporte rápido, conveniente y seguro al comprador global.

FCB070N65S3 MOSFET Power Electronics N-Channel SUPERFET III Easy Drive 650 V 44 A 70 m Paquete TO-263

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