Electrónica de potencia MOSFET FDMS86252
Puerta blindada de canal N 150 V de alta eficiencia rendimiento de conmutación superior
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Tipo FET
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Tecnología
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Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
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Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C
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Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)
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Rds On (Máx.) @ Id, Vgs
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Vgs(th) (Máx.) @ Id.
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Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
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Vgs (Máx.)
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Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
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Función FET
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Disipación de energía (máx.)
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Temperatura de funcionamiento
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Tipo de montaje
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Paquete de dispositivo del proveedor
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Paquete / Caja
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Características
Tecnología MOSFET de puerta blindada
Max rDS (encendido) = 51 mΩ a VGS = 10 V, ID = 4,6 A
Max rDS (encendido) = 70 mΩ a VGS = 6 V, ID = 3,9 A
Paquete avanzado y combinación de silicio para bajo rDS(on) y alta eficiencia
Diseño de paquete robusto MSL1
100% UIL probado
Cumple con RoHS General
Descripción
Este MOSFET de canal N se produce mediante el proceso avanzado PowerTrench® de Fairchild Semiconductor que incorpora la tecnología Shielded Gate.Este proceso se ha optimizado para la resistencia en estado activo y, sin embargo, mantiene un rendimiento de conmutación superior.
Solicitud
Conversión CC-CC
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