Electrónica de potencia MOSFET FDMC610P
8-PowerTDFN Paquete cuerpo diodo rendimiento de recuperación inversa P-Channel
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Tipo FET
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Tecnología
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Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
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Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C
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Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)
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Rds On (Máx.) @ Id, Vgs
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3,9 mOhmios a 22 A, 4,5 V
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Vgs(th) (Máx.) @ Id.
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Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
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Vgs (Máx.)
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Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
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Función FET
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Disipación de energía (máx.)
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Temperatura de funcionamiento
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Tipo de montaje
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Paquete de dispositivo del proveedor
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Características
Max rDS (encendido) = 3,9 mΩ en VGS = -4,5 V, ID = -22 A
Max rDS (encendido) = 6,4 mΩ en VGS = -2,5 V, ID = -16 A
Rendimiento de conmutación de última generación
La capacitancia de salida más baja, la resistencia de la puerta y la carga de la puerta aumentan la eficiencia
La tecnología de compuerta blindada reduce el timbre del nodo de conmutación y aumenta la inmunidad a EMI y conducción cruzada Cumple con RoHS
Descripción general
Este MOSFET de canal P ha sido diseñado específicamente para mejorar la eficiencia general y minimizar el zumbido del nodo de conmutación de los convertidores CC/CC utilizando controladores PWM de conmutación sincrónicos o convencionales.Ha sido optimizado para carga de compuerta baja, rDS bajo (encendido), velocidad de conmutación rápida y rendimiento de recuperación inversa del diodo del cuerpo.
Aplicaciones
Conmutación lateral alta para informática de gama alta
Convertidor reductor síncrono CC-CC de alta densidad de potencia
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