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Ordenadores portátiles de PowerTrench®in del P-canal del paquete de la electrónica de poder del MOSFET de FDS6675BZ 8-SOIC
Tipo del FET
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Tecnología
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MOSFET (óxido de metal)
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Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
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Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
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Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
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4.5V, 10V
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Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
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13mOhm @ 11A, 10V
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Identificación de Vgs (th) (máximo) @
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3V @ 250µA
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Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
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62 nC @ 10 V
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Vgs (máximo)
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±25V
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Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
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2470 PF @ 15 V
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Característica del FET
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-
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Disipación de poder (máxima)
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2.5W (TA)
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Temperatura de funcionamiento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Montaje del tipo
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Paquete del dispositivo del proveedor
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8-SOIC
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Paquete/caso
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Descripción general
Este MOSFET del P-canal es el usar producted EN el proceso avanzado de PowerTrench del semiconductor que tiene
adaptado especialmente para minimizar la resistencia del en-estado.
Este dispositivo está bien adaptado para la gestión del poder y los usos que cambian de la carga comunes en ordenadores portátiles
y baterías portátiles.
Características
RDS máximo (encendido) = 13mΩ en VGS = -10V, identificación = -11A
RDS máximo (encendido) = 21.8mΩ en VGS = -4.5V, identificación = -9A
Gama extendida de VGS (- 25V) para los usos de la batería
Nivel de la protección de HBM ESD de 5,4 kilovoltios de típico (nota 3)
Hnology técnico del foso del alto rendimiento para extremadamente - el rDS bajo (encendido)
Poder más elevado y capacidad que da actual
RoHS obediente
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