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Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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FDD3672 - Transistor del MOSFET del poder más elevado para los usos avanzados de la electrónica de poder

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China FDD3672 - Transistor del MOSFET del poder más elevado para los usos avanzados de la electrónica de poder wholesale
  • China FDD3672 - Transistor del MOSFET del poder más elevado para los usos avanzados de la electrónica de poder wholesale

FDD3672 - Transistor del MOSFET del poder más elevado para los usos avanzados de la electrónica de poder
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Number modelo :FDD3672
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :999999
Plazo de expedición :1-3 días
Detalles de empaquetado :Estándar
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :100 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C :6.5A (TA), 44A (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs :28mOhm @ 44A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ :4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs :36 nC @ 10 V
Vgs (máximo) :±20V
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FDD3672 - Transistor del MOSFET del poder más elevado para los usos avanzados de la electrónica de poder

 

 

Tipo del FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
100 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
6.5A (TA), 44A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
28mOhm @ 44A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @
4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (máximo)
±20V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
1710 PF @ 25 V
Característica del FET
-
Disipación de poder (máxima)
135W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montaje del tipo
Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-252AA
Paquete/caso
TO-252-3, DPak (2 ventajas + etiquetas), SC-63
 
 

Anuncio del producto:

EN el semiconductor FDD3672 - MOSFET del poder del canal N

El FDD3672 es un MOSFET del poder del canal N manufacturado cerca EN el semiconductor. Ofrece la disipación de poder excelente, la carga baja de la puerta y la velocidad que cambia rápida.

 

Características:
• voltaje de avería de la dren-fuente 100V
• Corriente continua máxima del dren de 10.2A
• Carga baja de la puerta: Qg = 16nC típico
• Resistencia máxima del en-estado de la dren-fuente de 0.48Ω
• Energía interna de la avalancha clasificada en EAS = 7.3mJ
• Temperatura de empalme de funcionamiento máxima de 175°C
• Carga media de la puerta: Qg = 16nC típico
• Velocidad que cambia rápida: TD (encendido) = 10ns típico
• Paquete sin plomo, RoHS-obediente

 

Porqué compra a nosotros rápidamente/con seguridad/convenientemente del >>>
• SKL es encargado común y una compañía comercial de componentes electrónicos. Nuestra sucursal incluye China, Hong Kong, Sigapore, Canadá. Negocio, servicio, resourcing e información de la oferta para nuestro miembro global.
• Las mercancías se aseguran el posible más de alta calidad y se entregan a nuestros clientes por todo el mundo con velocidad y la precisión.
 
Cómo comprar >>>
• Éntrenos en contacto con por el correo electrónico y envió su investigan con su destino del transporte.
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>>> del servicio
• El envío del promotor al comprador mundial, de DHL, de TNT, de UPS, de FEDEX etc. no necesita preocuparse de problema de envío
• Intentaremos responder lo más rápidamente posible. Pero debido a la diferencia de la zona horaria, dé un plazo por favor de hasta 24 horas para conseguir su correo contestado. Los productos fueron probados por algunos dispositivos o software, nos aseguramos de que no haya problemas de la calidad.
• Estamos confiados al servicio rápido, conveniente y seguro del abastecimiento del transporte al comprador global.
 
FDD3672 - Transistor del MOSFET del poder más elevado para los usos avanzados de la electrónica de poder

 

 

 

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