Electrónica de poder del MOSFET del poder más elevado de FDD86102LZ Usos industriales y usos automotrices de alto voltaje

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Number modelo :FDD86102LZ

Lugar del origen :Original

Cantidad de orden mínima :1

Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

Capacidad de la fuente :999999

Plazo de expedición :1-3 días

Detalles de empaquetado :Estándar

Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :100 V

Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C :8A (TA), 35A (Tc)

Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs :22.5mOhm @ 8A, 10V

Identificación de Vgs (th) (máximo) @ :3V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs :26 nC @ 10 V

Vgs (máximo) :±20V

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Etiquetas de productos:

le transistor darlington

Carro de la investigación 0

Tipo del FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)	100 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C	8A (TA), 35A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs	22.5mOhm @ 8A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @	3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs	26 nC @ 10 V
Vgs (máximo)	±20V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds	1540 PF @ 50 V
Característica del FET	-
Disipación de poder (máxima)	3.1W (TA), 54W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo	Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252AA
Paquete/caso	TO-252-3, DPak (2 ventajas + etiquetas), SC-63