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Poder que cambia variable del funcionamiento de la transferencia del canal N del paquete de la electrónica de poder del MOSFET de FQT7N10LTF TO-261-4
Tipo del FET
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Tecnología
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MOSFET (óxido de metal)
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Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
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Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
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Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
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5V, 10V
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Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
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350mOhm @ 850mA, 10V
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Identificación de Vgs (th) (máximo) @
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2V @ 250µA
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Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
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6 nC @ 5 V
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Vgs (máximo)
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±20V
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Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
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290 PF @ 25 V
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Característica del FET
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-
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Disipación de poder (máxima)
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2W (Tc)
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Temperatura de funcionamiento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Montaje del tipo
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Paquete del dispositivo del proveedor
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SOT-223-4
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Paquete/caso
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Descripción
Este MOSFET del poder del modo del aumento del canal N se produce usando la raya planar propietaria del semiconductor de Fairchild y la tecnología de DMOS. Esta tecnología avanzada del MOSFET se ha adaptado especialmente para reducir resistencia del en-estado, y para proporcionar funcionamiento que cambiaba superior y alta fuerza de la energía de la avalancha. Estos dispositivos son convenientes para control las fuentes de alimentación del modo, el amplificador audio, de motor cambiados de DC, y los usos variables del poder que cambian.
Características
• 1,7 A, 100 V, mΩ =350 del RDS (encendido) (máximo) @VGS=10 V, ID=0.85 A
• Carga baja de la puerta (tipo. 5,8 nC)
• Crss bajo (tipo. 10 PF) • La avalancha 100% probó
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